[11p-E208-1~10] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

15:45 〜 16:00英語発表

[11p-E208-9] Enhanced dielectric constant and VCMA effect via MgO/ZnO/MgO tunnel barrier

〇Tomohiro Nozaki¹, Hiroshige Onoda¹, Shingo Tamaru¹, Hiroyasu Nakayama¹, Makoto Konoto¹, Takayuki Nozaki¹, Shinji Yuasa¹ (1.AIST)

キーワード：

spintronics、VCMA effect、dielectric constant