2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
詳細検索

セッション詳細

一般セッション(口頭講演)10 スピントロニクス・マグネティクス：10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

[11p-E208-1~10]10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

2026年9月11日(金) 13:30 〜 16:15
E208 (総合教育棟 E棟)
13:30 〜 13:45奨励賞エントリー英語発表

[11p-E208-1]Fabrication of nanojunctions using fullerene and their structural, electrical and magnetic properties

〇Koki Terai1, Mizuki Matsuzaka1, Takumi Ueda1, Hideo Kaiju1,2 (1.Keio Univ., 2.CSRN, Keio Univ.)
13:45 〜 14:00英語発表

[11p-E208-2]Co/Pt-based synthetic antiferromagnets pinned by perpendicular exchange bias for wide-dynamic-range tunnel-magnetoresistance sensors

〇Takafumi Nakano1,2, Saki Ushida3, Kenta Watanabe1, Taichi Okamoto3, Mikihiko Oogane1,4 (1.Tohoku Univ., 2.Green X-Tech., 3.Asahi Kasei Microdevices Corp., 4.CSIS)
14:00 〜 14:15奨励賞エントリー英語発表

[11p-E208-3]Tunnel-magnetoresistance sensor using nanocrystalline Fe-B-Cu alloy thin films as flux concentrators

〇Yichen Wang1, Miyaura Tomoko1, Oogane Mikihiko1,2, Nakano Takafumi1,3 (1.Tohoku Univ, 2.Tohoku Univ CSIS, 3.Tohoku Univ. Green X-Tech)
14:15 〜 14:30

[11p-E208-4]磁気抵抗センサアレイによる磁化パターンの遠隔検知と機械学習識別

〇窪田 崇秀1、北條 峻之1、藤原 耕輔2、遠藤 基1、福島 隼人2、𠮷留 崇1、松﨑 斉2、山根 育郎3、神野 淳一3、大西 弘二3、大兼 幹彦1、安藤 康夫1 (1.東北大院工、2.スピンセンシングファクトリー、3.大塚製薬)
14:30 〜 14:45

[11p-E208-5]トンネル磁気抵抗センサで測定した磁化パターン３次元点群の深層学習による高精度クラス分類

〇北條 峻之1、窪田 崇秀1、藤原 耕輔2、遠藤 基1、福島 隼人2、吉留 崇1、松崎 斉2、山根 育郎3、神野 淳一3、大西 弘二3、大兼 幹彦1、安藤 康夫1 (1.東北大院工、2.スピンセンシングファクトリー(株)、3.大塚製薬(株))
15:00 〜 15:15英語発表

[11p-E208-6]Development of Analog Magnetization Control Layer for MTJ-Based Analog IC Calibration

〇Takeru Mizoguchi1, Mahfuzul Islam2, Minori Goto3, Yuichiro Ando1 (1.Osaka Metropolitan Univ., 2.Institute of Science Tokyo, 3.Tokyo University of Science)
15:15 〜 15:30英語発表

[11p-E208-7]Memristive magnetic tunnel junctions using a spinodal magnet

〇Tatsuya Yamamoto1, Tomohiro Ichinose1, Jun Uzuhashi2, Sumito Tsunegi1, Takayuki Nozaki1, Tadakatsu Ohkubo2, Shingo Tamaru1, Kay Kakushiji1, Hitoshi Kubota1, Shinji Yuasa1 (1.AIST, 2.NIMS)
15:30 〜 15:45英語発表

[11p-E208-8]Cryogenic temperature deposition of CoFe/Fe stacked top-free layers with high perpendicular magnetic anisotropy and voltage-controlled magnetic anisotropy coefficients

〇Tomohiro Ichinose1, Tatsuya Yamamoto1, Takayuki Nozaki1, Kay Yakushiji1, Shingo Tamaru1, Shinji Yuasa1,2 (1.AIST, 2.Tohoku Univ.)
15:45 〜 16:00英語発表

[11p-E208-9]Enhanced dielectric constant and VCMA effect via MgO/ZnO/MgO tunnel barrier

〇Tomohiro Nozaki1, Hiroshige Onoda1, Shingo Tamaru1, Hiroyasu Nakayama1, Makoto Konoto1, Takayuki Nozaki1, Shinji Yuasa1 (1.AIST)
16:00 〜 16:15英語発表

[11p-E208-10]Modified TMR and non-linear VCMA effect in Cr/Fe/Ir/MgO MTJs with Fe quantum well

〇Thomas Scheike1, Tomohiro Nozaki1, Takayuki Nozaki1, Shinji Yuasa1 (1.AIST)
カテゴリ一覧へ戻る