[11p-E301-1~11] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:15 〜 15:30

[11p-E301-7] ZnO層数の異なるIGZOバルク単結晶の輸送特性

〇柳澤 亮人¹、平井 萌々香¹、吉田 麻彩¹、小海 稜太郎¹、宮川 宣明¹ (1.東理大先進工)

キーワード：

酸化物半導体、バルク物性、IGZO