セッション詳細
[11p-E301-1~11]21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
2026年9月11日(金) 13:30 〜 16:30
E301 (総合教育棟 E棟)
[11p-E301-1]Flexible In2O3 TFTs with High-Mobility of ~75 cm2 V−1 s−1
〇(DC)Hyeonjun Kong1, Ying-Hao Chu2, Yasutaka Matsuo3, Hiromichi Ohta3 (1.IST-Hokkaido U., 2.National Tsing Hua Univ., 3.RIES-Hokkaido U.)
[11p-E301-2]Low-Leakage IGZO Contact-Controlled Transistor towards Long Retention Analog Memory
〇(D)Mark Denusta Ilasin1, Juan Paolo Soria Bermundo1, Mutsumi Kimura2, Hidenori Kawanishi1, Senku Tanaka3, Kosuke O. Hara1, Yukiharu Uraoka1 (1.NAIST, 2.Ryukoku Univ., 3.Kindai Univ.)
[11p-E301-3]Impact of Remote Plasma Power on Electrical Characteristics of PEALD AlOx-passivated Ultrathin InOx FETs
〇Chia-Tsong Chen1, Kazuki Ishiyama1,2, Zih-hao DAI3, Kasidit Toprasertpong3, Toshifumi Irisawa1, Tatsuro Maeda1 (1.AIST, 2.Nihon Univ., 3.The Univ. of Tokyo)
[11p-E301-4]AlOx ゲート絶縁膜薄膜化によるInOx FETsのバイアス安定性改善効果
〇(M2)石山 和樹1,2、陳 家驄2、入沢 寿史2、トープラサートポン カシディット3、前田 辰郎2 (1.日大院理工、2.産総研、3.東京大学)
[11p-E301-5]Mist CVD法により製作した膜厚10 nm In2O3薄膜TFTの静特性
〇(M2)石川 治樹1、山口 智広1、飯塚 太郎1、西尾 宗真1、佐藤 憩1、松藤 由磨1、海老澤 雄一朗1、石川 諒1、相川 慎也1、尾沼 猛儀1、本田 徹1 (1.工学院大)
[11p-E301-6]非晶質酸化ガリウム薄膜トランジスタの高温動作特性とガス応答の評価
〇大下 莉央1、井手 啓介1、片瀬 貴義1,2、平松 秀典1,2、神谷 利夫1 (1.科学大元素、2.科学大フロ研)
[11p-E301-7]ZnO層数の異なるIGZOバルク単結晶の輸送特性
〇柳澤 亮人1、平井 萌々香1、吉田 麻彩1、小海 稜太郎1、宮川 宣明1 (1.東理大先進工)
[11p-E301-8]サイト選択的 Sn 置換による IGZTO バルク単結晶の輸送特性制御
〇(M1)光山 大樹1、吉田 麻彩1、平井 萌々香1、小海 稜太郎1、柳澤 亮人1、宮川 宣明1 (1.東理大先進工)
[11p-E301-9]Ag、N共添加ZnO薄膜の電気特性に及ぼすAr:N2:O2流量比の影響
〇横山 脩1、勝俣 裕1 (1.明大理工)
[11p-E301-10]Znターゲットを用いたRF反応性共スパッタリング法
により作製したAZO薄膜の特性に及ぼすAl添加量の影響
〇林 俊孝1、勝俣 裕1 (1.明大理工)
[11p-E301-11]SnO2からのSnO形成に向けたキャッピングによる過剰還元抑制
〇川崎 汐音1、辛 佳和1、相川 慎也1 (1.工学院大工)