2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会

2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会

セッション詳細

一般セッション(口頭講演)21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[11p-E301-1~11]21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2026年9月11日(金) 13:30 〜 16:30

E301 (総合教育棟 E棟)

座長：髙橋崇典(奈良先端大)

13:30 〜 13:45英語発表

[11p-E301-1]Flexible In₂O₃ TFTs with High-Mobility of ~75 cm² V⁻¹ s⁻¹

〇(DC)Hyeonjun Kong¹, Ying-Hao Chu², Yasutaka Matsuo³, Hiromichi Ohta³ (1.IST-Hokkaido U., 2.National Tsing Hua Univ., 3.RIES-Hokkaido U.)

13:45 〜 14:00英語発表

[11p-E301-2]Low-Leakage IGZO Contact-Controlled Transistor towards Long Retention Analog Memory

〇(D)Mark Denusta Ilasin¹, Juan Paolo Soria Bermundo¹, Mutsumi Kimura², Hidenori Kawanishi¹, Senku Tanaka³, Kosuke O. Hara¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST, 2.Ryukoku Univ., 3.Kindai Univ.)

14:00 〜 14:15英語発表

[11p-E301-3]Impact of Remote Plasma Power on Electrical Characteristics of PEALD AlO_x-passivated Ultrathin InO_x FETs

〇Chia-Tsong Chen¹, Kazuki Ishiyama^1,2, Zih-hao DAI³, Kasidit Toprasertpong³, Toshifumi Irisawa¹, Tatsuro Maeda¹ (1.AIST, 2.Nihon Univ., 3.The Univ. of Tokyo)

14:15 〜 14:30

[11p-E301-4]AlO_x ゲート絶縁膜薄膜化によるInO_x FETsのバイアス安定性改善効果

〇(M2)石山和樹^1,2、陳家驄²、入沢寿史²、トープラサートポンカシディット³、前田辰郎² (1.日大院理工、2.産総研、3.東京大学)

14:30 〜 14:45

[11p-E301-5]Mist CVD法により製作した膜厚10 nm In₂O₃薄膜TFTの静特性

〇(M2)石川治樹¹、山口智広¹、飯塚太郎¹、西尾宗真¹、佐藤憩¹、松藤由磨¹、海老澤雄一朗¹、石川諒¹、相川慎也¹、尾沼猛儀¹、本田徹¹ (1.工学院大)

14:45 〜 15:00

[11p-E301-6]非晶質酸化ガリウム薄膜トランジスタの高温動作特性とガス応答の評価

〇大下莉央¹、井手啓介¹、片瀬貴義^1,2、平松秀典^1,2、神谷利夫¹ (1.科学大元素、2.科学大フロ研)

15:15 〜 15:30

[11p-E301-7]ZnO層数の異なるIGZOバルク単結晶の輸送特性

〇柳澤亮人¹、平井萌々香¹、吉田麻彩¹、小海稜太郎¹、宮川宣明¹ (1.東理大先進工)

15:30 〜 15:45

[11p-E301-8]サイト選択的 Sn 置換による IGZTO バルク単結晶の輸送特性制御

〇(M1)光山大樹¹、吉田麻彩¹、平井萌々香¹、小海稜太郎¹、柳澤亮人¹、宮川宣明¹ (1.東理大先進工)

15:45 〜 16:00

[11p-E301-9]Ag、N共添加ZnO薄膜の電気特性に及ぼすAr:N₂:O₂流量比の影響

〇横山脩¹、勝俣裕¹ (1.明大理工)

16:00 〜 16:15

[11p-E301-10]Znターゲットを用いたRF反応性共スパッタリング法
により作製したAZO薄膜の特性に及ぼすAl添加量の影響

〇林俊孝¹、勝俣裕¹ (1.明大理工)

16:15 〜 16:30

[11p-E301-11]SnO₂からのSnO形成に向けたキャッピングによる過剰還元抑制

〇川崎汐音¹、辛佳和¹、相川慎也¹ (1.工学院大工)

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