[11p-E301-1~11] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:30 〜 15:45

[11p-E301-8] サイト選択的 Sn 置換による IGZTO バルク単結晶の輸送特性制御

〇(M1)光山 大樹¹、吉田 麻彩¹、平井 萌々香¹、小海 稜太郎¹、柳澤 亮人¹、宮川 宣明¹ (1.東理大先進工)

キーワード：

酸化物半導体、IGZO