講演情報
[11p-E308-8]単層MoS2の仕事関数とhigh-kとのバンドアライメント：文献比較
〇吉武 道子1、長田 貴弘1 (1.NIMS)
キーワード：
ゲート絶縁膜、仕事関数、バンドオフセット
チャンネル層を極限まで薄くしたトランジスタの材料として有望視されている単層二次元物質の中で、単層MoS2はMOCVDによる良質な材料の大面積化が可能になり、n型チャンネル材料の実用化が期待されている。本講演では、単層MoS2の仕事関数の値やhigh-k酸化物との界面のバンドオフセット値について、実測＆計算の文献値を材料の素性や計測法と共にレビューする。