講演情報
[11p-E308-9]大気圧近傍水素雰囲気-硬X線光電子分光計測による単層MoS2/サファイア界面構造変化の評価
〇長田 貴弘1、佐久間 芳樹1、グイイ イブラヒマ2、高木 康多2、小畠 雅明3、福田 竜生3、奈良 純1、張 睿騰4、西村 知紀4、金橋 魁利4、長汐 晃輔4 (1.NIMS、2.JASRI、3.原子力機構、4.東大院工)
キーワード：
二硫化モリブデン、二次元半導体、硬X線光電子分光
ウエハスケールMOCVDでサファイア基板上に直接成長した単層MoS2を用いたトップゲートのトランジスタのon-off動作を実現した400℃の水素ガスアニールの効果について、主に水素ガス雰囲気下加熱-硬X線光電子分光を用いて、MoS2/サファイア界面の変化と、その界面安定性について検討を行った結果を報告する。