講演情報
[8a-A13-11]極薄a-IGZO TFTにおける特性劣化の起源
〇辻 昌武1、Cho Hanjun1、上田 茂典2、細野 秀雄1,2 (1.東京科学大、2.NIMS)
キーワード：
薄膜トランジスター、アモルファス酸化物半導体、点欠陥
a-IGZO TFTは10 nm未満に薄膜化すると、移動度低下と動作不安定性が生じる課題がある。本研究では、この劣化の原因が成膜時に凍結した酸素関連欠陥対(酸素空孔 VO と格子間酸素 Oiの共存)であることを提案し、さらに、「欠陥の不活性化」と「表面欠陥層の除去」により、PBS不安定性の抑制と移動度の回復を実証した。