セッション詳細
[8a-A13-1~13]6.3 酸化物エレクトロニクス
2026年9月8日(火) 9:00 〜 12:30
A13 (情報研究棟)
座長:松野 丈夫(阪大)、 太田 裕道(北大)
[8a-A13-1][第60回講演奨励賞受賞記念講演] 六方晶窒化ホウ素多層膜を用いた完全歪み緩和Ti2O3薄膜の実現
〇菅野 圭太朗1、相馬 拓人1、深町 悟2、吾郷 浩樹2、奥山 大輔3、大友 明1、吉松 公平1 (1.科学大物質理工、2.九州大、3.KEK 物構研)
[8a-A13-3]大気アニールによる透明導電性アナターゼ型NbドープTiO2薄膜の作製
〇清水 亮太1、三浦 弓恵2、簾 智仁2、小林 成2、中尾 祥一郎2、長谷川 哲也2、山田 直臣3、一杉 太郎2 (1.分子研、2.東大院理、3.中部大工)
[8a-A13-4]酸化チタンのキャリア発現機構を支配する格子欠陥の解明
〇簾 智仁1、村田 秀信2、満汐 孝治3、上田 礼一1、三浦 弓恵1、中山 亮1、竹迫 律貴1、中村 吉伸1、西尾 和記1、清水 亮太4、山田 直臣5、一杉 太郎1 (1.東大、2.JFCC、3.産総研、4.分子研、5.中部大)
[8a-A13-5]正弦波型組成変調 Nb:TiO2エピタキシャル薄膜の創製
〇木村 遼太1、安孫子 優登1、神永 健一1、丸山 信伍1,2、松本 祐司1 (1.東北大院工、2.静岡大院工)
[8a-A13-8]スパッタリング成膜時の基板温度がp型SnOxの結晶性に与える影響
〇大谷 知輝1、伊藤 佑太1,2、浅沼 治樹1、渡辺 拓音1、澤本 直美1,3、小椋 厚志1,3 (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.明大MREL)
[8a-A13-12]イオンゲルエレクトレットによる2端子電界効果トランジスタの実現
〇小野 新平1、Lieb Johanna2、Sacepe Benjamin2 (1.東北大SRIS、2.CNRS)
