セッション詳細

[8a-A13-1~13]6.3 酸化物エレクトロニクス

2026年9月8日(火) 9:00 〜 12:30
A13 (情報研究棟)

[8a-A13-1][第60回講演奨励賞受賞記念講演] 六方晶窒化ホウ素多層膜を用いた完全歪み緩和Ti2O3薄膜の実現

〇菅野 圭太朗1、相馬 拓人1、深町 悟2、吾郷 浩樹2、奥山 大輔3、大友 明1、吉松 公平1 (1.科学大物質理工、2.九州大、3.KEK 物構研)

[8a-A13-2]汎用機械学習ポテンシャルを用いた擬二次元酸化物の結晶構造探索

〇青木 祐太1 (1.Matlantis株式会社)

[8a-A13-3]大気アニールによる透明導電性アナターゼ型NbドープTiO2薄膜の作製

〇清水 亮太1、三浦 弓恵2、簾 智仁2、小林 成2、中尾 祥一郎2、長谷川 哲也2、山田 直臣3、一杉 太郎2 (1.分子研、2.東大院理、3.中部大工)

[8a-A13-4]酸化チタンのキャリア発現機構を支配する格子欠陥の解明

〇簾 智仁1、村田 秀信2、満汐 孝治3、上田 礼一1、三浦 弓恵1、中山 亮1、竹迫 律貴1、中村 吉伸1、西尾 和記1、清水 亮太4、山田 直臣5、一杉 太郎1 (1.東大、2.JFCC、3.産総研、4.分子研、5.中部大)

[8a-A13-5]正弦波型組成変調 Nb:TiO2エピタキシャル薄膜の創製

〇木村 遼太1、安孫子 優登1、神永 健一1、丸山 信伍1,2、松本 祐司1 (1.東北大院工、2.静岡大院工)

[8a-A13-6]ペロブスカイト型BaNbO3エピタキシャル薄膜の透明導電性

〇(M1)篠原 俊紀1、岡 大地1、宮地 俊介1、廣瀬 靖1 (1.都立大院理)

[8a-A13-7]LaAlO3単結晶基板の水素化と導電性

〇(M1)豊岡 晋1、大熊 光1、小澤 孝拓2、福谷 克之2、中村 吉伸1、上野 和紀1 (1.東大総文、2.東大生研)

[8a-A13-8]スパッタリング成膜時の基板温度がp型SnOxの結晶性に与える影響

〇大谷 知輝1、伊藤 佑太1,2、浅沼 治樹1、渡辺 拓音1、澤本 直美1,3、小椋 厚志1,3 (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.明大MREL)

[8a-A13-9]大電力パルスマグネトロンスパッタを用いた結晶性SnO2の低温成膜

〇太田 貴之1、齋藤 祐太1、竹中 弘祐2、節原 裕一2 (1.名城大理工、2.阪大接合研)

[8a-A13-10]ミストCVD法によるITO:Al薄膜の作製と構造評価

〇遠藤 穂野香1、一戸 善弘1 (1.北科大)

[8a-A13-11]極薄a-IGZO TFTにおける特性劣化の起源

〇辻 昌武1、Cho Hanjun1、上田 茂典2、細野 秀雄1,2 (1.東京科学大、2.NIMS)

[8a-A13-12]イオンゲルエレクトレットによる2端子電界効果トランジスタの実現

〇小野 新平1、Lieb Johanna2、Sacepe Benjamin2 (1.東北大SRIS、2.CNRS)

[8a-A13-13]Ti/ZnO接合の液体ゲートによる接触抵抗の特異な挙動

〇下川 桃果1、石黒 亮輔1 (1.日女大院理)