講演情報
[8a-B32-4]オペランド表面電位顕微鏡を用いた有機アンチ・アンバイポーラトランジスタのキャリア伝導評価
〇吉川 康介1,2、早川 竜馬1、山田 洋一2、福本 恵紀3、若山 裕1 (1.物材機構、2.筑波大、3.高エネ研)
キーワード：
有機トランジスタ、オペランドケルビンプローブ顕微鏡、オペランド光電子顕微鏡
有機アンチ・アンバイポーラトランジスタ（AAT）の伝導機構を明らかにするため、オペランド表面電位顕微鏡を用いてAAT内部の表面電位分布を高空間分解能で評価した。その結果、ゲート電圧のわずかな変化に伴い、ドレイン電流を律速する空乏層（ピンチオフ）領域がN型半導体層からP型半導体層へ劇的に変化することを見出した。本講演では、光電子顕微鏡によるキャリア分布観測の結果と併せてAATのキャリア伝導機構について報告する。