セッション詳細
[8a-B32-1~11]12.2 評価・基礎物性
2026年9月8日(火) 9:00 〜 12:00
B32 (工学部 B棟)
[8a-B32-1]加熱銅ノズルによるヘキサブロモトリフェニレン分子の脱臭素化
山口 真広1、坂上 弘之1、富成 征弘2、田中 秀吉2、〇鈴木 仁1 (1.広島大院先進理工、2.情通機構)
[8a-B32-2]表面での自己組織化を利用した規定構造触媒の作製
〇矢野 雅大1、保田 諭1 (1.原子力機構)
[8a-B32-3]In-situ Full-Stroke Calibration of an AFM Head-Piezo for Large-Amplitude Tissue Indentation: Offset-Resolved Hysteresis Recovery from Local Minor Loops
〇(P)Stefan Baar1, Feng-Yueh Chan2, Hiroki Nojima1, Takayuki Uchihashi2, Takaharu Okajima1 (1.Hokkaido University, 2.Nagoya University)
[8a-B32-4]オペランド表面電位顕微鏡を用いた有機アンチ・アンバイポーラトランジスタのキャリア伝導評価
〇吉川 康介1,2、早川 竜馬1、山田 洋一2、福本 恵紀3、若山 裕1 (1.物材機構、2.筑波大、3.高エネ研)
[8a-B32-5]ポンププローブケルビンプローブフォース顕微鏡による有機薄膜トランジスタの時間分解電位計測
〇日比 功太1、小林 圭1 (1.京大院工)
[8a-B32-6]フローティングゲート有機トランジスタメモリにおける光応答性記憶ダイナミクスの解析
〇清田 航太郎1、服部 秀政1、小林 隆史1,2、内藤 裕義1,2,3、永瀬 隆1,2 (1.阪工大工、2.阪公大 分子エレクトロニックデバイス研、3.立命館大 RISA)
[8a-B32-7]高密度ドープした導電性高分子PBTTTの非局在的電荷輸送と熱電特性
〇伊藤 駿一郎1、田中 久暁2、大島 勇吾1、金橋 魁利3、伊東 裕4、陳 斌杰5、太田 裕道6、渡邉 峻一郎1、竹延 大志4 (1.理研、2.千歳科技大、3.東大マテ工、4.名大院、5.北大院情報、6.北大電子研)
[8a-B32-8]n型有機半導体単結晶/電解質界面における高移動度バンド伝導の実現
〇(DC)王 璞石1、熊谷 翔平2、岡本 敏宏2,3、亀山 亮平1、山下 侑1,4、竹谷 純一1,3,4 (1.東大院新領域、2.科学大物質理工、3.JST CREST、4.物材機構)
[8a-B32-9]有機半導体二次元正孔ガスにおけるメゾスコピック量子干渉現象
〇(DC)安部 深月1、古川 友貴1、高柳 英明1、今城 周作1、竹谷 純一1,2,3 (1.東大院新領域、2.物材機構、3.JST CREST)
[8a-B32-10]Tunable biaxial compression of organic semiconductor thin films for robust coherent charge transport
〇(DC)Junyi Zhu1, Tomoki Furukawa1, Ryohei Kameyama1, Shohei Kumagai2, Toshihiro Okamoto2, Atsushi Shishido2, Shusaku Imajo1, Jun Takeya1,3 (1.Univ. of Tokyo, 2.Science Tokyo, 3.JST CREST)
[8a-B32-11]有機半導体単結晶におけるボトムゲート電気二重層トランジスタ
〇(M2)小柴 怜朗1、安部 深月1、王 璞石1、古川 友貴1、郭 紫荊1、今城 周作1、竹谷 純一1,2,3 (1.東大院新領域、2.JST CREST、3.物材機構)
