講演情報
[8a-C213-7]THz-TDSEによる銅基板上グラフェンの電気特性測定
〇藤井 高志1,2、秦 玄達郎1、菅沼 福仁2、岩本 俊志2、中本 トラン1、杉江 隆一1、荒木 努1 (1.立命館大学、2.日邦プレシジョン)
キーワード：
テラヘルツ時間領域分光エリプソメトリ、グラフェン、銅
現在、カーボンナノチューブやグラフェン、ダイヤモンド等のカーボン材料およびデバイス応用の研究が活発に行われている。これらの材料を作製する場合には銅やニッケルなどの金属が使用される。例えば、グラフェン膜は銅箔やサファイア上の銅箔膜上に作製される。この銅上のグラフェン膜の電気特性をTHz-TDSEを用いて測定を行った。その結果、銅とグラフェンとで測定に差は認められた。しかし、通常の銅と無酸素銅でもTHz-TDSE測定結果に差が認められた。そのため、銅の特性を正確に求めることが重要であることが分かった。