講演情報
[8a-C310-8]高感度量子磁力計プローブに向けた片側型均一バイアス磁場の設計
〇関口 直太1、金本 あゆみ1、水田 翔一1、岩﨑 孝之1、波多野 睦子1 (1.Science Tokyo)
キーワード：
ダイヤモンド、量子センシング、NVセンター
ダイヤモンド中のNV中心を用いた高感度な量子センシングにおいては、多くの場合均一なバイアス磁場が必要である。従来用いられている両側構成は均一なバイアス磁場を印加できる一方で、対象物への接近に課題がある。本研究では、磁場プロファイルが鞍点を形成しダイヤモンド内で均一度の高いバイアス磁場を印加できる、片側構成の磁石構成を設計した。本構成は高感度かつ汎用性の高い量子磁力計プローブの実現につながる。