講演情報
[8a-E218-10]GaAs/AlGaAs(110)量子井戸における電子スピン緩和時間の温度依存性
〇坪井 風海音1、山本 太陽1、揖場 聡2、大野 裕三1,2 (1.筑波大院数理、2.産総研)
キーワード：
半導体スピントロニクス、スピン緩和
次世代光通信光源として期待されるスピン面発光レーザーの高性能化には、活性層における電子スピン緩和時間の定量的理解が不可欠である。本研究では、時間分解フォトルミネッセンス法を用いて、GaAs/AlGaAs(110)量子井戸（井戸幅15 nm）における電子スピン緩和時間の温度依存性を測定した。さらに、各スピン緩和機構を考慮した理論計算との比較により、それぞれの緩和機構の寄与を解析し、観測されたスピン緩和時間の非単調な温度依存性をもたらす要因について報告する。