[8a-E218-1~11] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

11:45 〜 12:00

[8a-E218-11] 室温でのスピン緩和に基づく(110)GaAs/AlGaAs量子井戸のDresselhaus係数評価

〇山本 太陽¹、坪井 風海音¹、揖場 聡²、大野 裕三^1,2 (1.筑波大院数理、2.産総研)

キーワード：

半導体スピントロニクス、スピン緩和

(110)GaAs/AlGaAs量子井戸構造はスピンレーザーの活性層において重要な指標であるスピン緩和時間τ_sが長いことから有望な系であることが知られている。最近の研究ではバルクGaAsにおいてτ_sの定量的な評価を行うDresselhaus係数γ_Dが従来用いられてきた約20eVųでなく約10eVųであることが示されたことから、この構造の機構解明に当たって、τ_sの励起強度依存性とγ_Dの定量的な評価を行った結果、γ_Dの値が約10eVųのほうが実験の値と良好な一致が見られたものの、低電子密度領域においては大きな乖離が見られた。