[8a-E218-1~11] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[8a-E218-7] 異なる面密度のInAs/InGaAlAs/InP量子ドット集団の発光減衰時間の温度依存性

〇(M2)川本 青空^1,2、赤羽 浩一²、山田 晋矢²、品田 聡²、前田 智弘^1,2、外林 秀之¹ (1.青学大理工、2.情通機構)

キーワード：

半導体、量子ドット

本研究では、半導体量子ドット(QD)のキャリアダイナミクス解明を目的として、面密度の異なるQD試料の温度依存時間分解PL測定を行った。面密度が大きく異なる試料を比較することで、典型的な面密度のQD測定では捉えにくい発光過程の理解を目指した。測定の結果、低面密度のQD試料はPL寿命の増加がより高温まで続いた。