[8a-E218-1~11] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

11:00 〜 11:15

[8a-E218-8] 時間分解PLによるInGaN/GaN量子ドットの発光スペクトルおよびキャリア寿命の温度依存性評価

〇岩崎 陸¹、中間 優斗¹、荒井 光史郎¹、佐藤 克樹¹、中山 悠太¹、竹内 淳¹、Ying Gong²、Wenxian Yang²、Shulong Lu² (1.早大先進理工、2.中科院蘇州ナノ研)

キーワード：

InGaN量子ドット、半導体、フォトルミネッセンス

Stranski-Krastanovモードにより自己組織化成長されたInGaN/GaN量子ドットに対し、10–300 Kで時間分解PL測定を行い、発光スペクトルおよびPL減衰の温度依存性を評価した。温度上昇に伴いPLスペクトルの広幅化、発光ピークエネルギーの非単調変化、および二重指数関数で近似される短寿命・長寿命成分の振幅比変化が観測された。