講演情報
[8a-E218-9]緑色発光InGaN/GaN量子ドットにおける積層数が時間分解PL特性に与える影響
〇荒井 光史郎1、中間 優斗1、岩崎 陸1、Zades Alexander1、佐藤 克樹1、中山 悠太1、竹内 淳1、Ying Gong2、Wenxian Yang2、Shulong Lu2 (1.早稲田大先進理工、2.中国科学院,SINANO)
キーワード：
量子ドット、半導体、時間分解PL
本研究では、積層数3,5,10層の緑色発光InGaN/GaN量子ドットに対し、TRPL測定を行い、積層数がPL特性に与える影響を調べた。積層数増加により発光強度が増大し、温度依存の評価では、10層試料において半値全幅の広がりが抑制され、緩和時間の長寿命化が確認された。