[8a-N101-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[8a-N101-2] InGaN/GaN量子ドットにおけるAlGaN挿入層が時間分解PL特性に与える影響

〇佐藤 克樹¹、中間 優斗¹、岩崎 陸¹、Alexander Zades¹、荒井 光史郎¹、中山 悠太¹、Gong Ying²、Wenxian Yang²、Lu Shulong²、竹内 淳¹ (1.早稲田大先進理工、2.中国科学院, SINANO)

キーワード：

InGaN量子ドット、AlGaN挿入層、半導体の光学特性

AlGaN挿入層がInGaN/GaN量子ドットに量子ドットの発光特性に与える影響について調べた。Al組成比0, 10, 20%のサンプルのフォトルミネッセンス(PL)を測定し、ストリークカメラで時間分解PLを測定した。結果として、Al組成比10%のサンプルが最も長波長側に発光ピークを持ち、発光寿命が長かった。この結果について、AlGaN挿入層が与える歪みの効果の視点から考察した。