セッション詳細
[8a-N101-1~11]15.4 III-V族窒化物結晶
2026年9月8日(火) 9:00 〜 12:00
N101 (総合教育棟 N棟)
[8a-N101-1]緑色発光InGaN/GaN量子ドットの時間分解PLの励起光強度依存性
〇中間 優斗1、岩崎 陸1、佐藤 克樹1、荒井 光史郎1、中山 悠太1、竹内 淳1、Ying Gong2、Wenxian Yang2、Shulong Lu2 (1.早大先進理工、2.中国科学院, SINANO)
[8a-N101-2]InGaN/GaN量子ドットにおけるAlGaN挿入層が時間分解PL特性に与える影響
〇佐藤 克樹1、中間 優斗1、岩崎 陸1、Alexander Zades1、荒井 光史郎1、中山 悠太1、Gong Ying2、Wenxian Yang2、Lu Shulong2、竹内 淳1 (1.早稲田大先進理工、2.中国科学院, SINANO)
[8a-N101-3]GaInN/GaN多重量子殻構造における発光均一性に及ぼすナノワイヤ高さの影響
〇澤崎 晴喜1、高橋 拓也1、山田 航己1、手島 弘喜1、堀田 陽生1、鈴木 ひまり1、難波江 宏一2、丹羽 一将2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大学、2.(株)E&Eエボリューション)
[8a-N101-4]InGaN MQWナノストライプ構造における発光特性の励起光強度依存性
〇片岡 生一1、菊池 昭彦1,2 (1.上智大理工、2.上智大半導体研究所)
[8a-N101-5]結晶性の異なるInGaNナノピラーの励起子ダイナミクスと発光効率
〇渡邊 喜斗1、横澤 光1、小菅 駿也1、片岡 生一2、菊池 昭彦2,3、大音 隆男1 (1.山形大院理工、2.上智大理工、3.上智大半導体研)
[8a-N101-6]極めて高い量子効率を有する青色InGaN/GaN LEDのキャリア再結合ダイナミクス評価
〇安藤 勇歩1、市川 修平1,2、小島 一信1 (1.阪大院工、2.阪大電顕センター)
[8a-N101-7]InGaN量子井戸におけるPL寿命スペクトル・マッピング測定
〇畑中 颯真1、山口 敦史1、岩満 一功2、冨谷 茂隆2 (1.金沢工大、2.奈良先端大)
[8a-N101-8]InGaN量子井戸におけるPL減衰曲線の関数形の検討
〇洲崎 新太1、新保 樹1、山口 敦史1、岩満 一功2、冨谷 茂隆2 (1.金沢工大、2.奈良先端大)
[8a-N101-9]光強度変調励起によるInGaN量子井戸のキャリア寿命の測定
〇山岸 颯矢1、山口 敦史1、冨谷 茂隆2 (1.金沢工大、2.奈良先端大)
[8a-N101-10]共焦点光学系時間分解PL計測を用いたInGaN量子井戸におけるキャリア拡散の測定
〇櫻井 裕太1、伊藤 央祐1、山口 敦史1、幸田 倫太郎2 (1.金沢工大、2.ソニーセミコンダクタソリューションズ)
[8a-N101-11]InGaN 単一量子井戸および下地層付き量子井戸におけるカソードルミネッセンススペクトルイメージングによる空間発光特性評価II
〇(M2)辻井 大地1、福 隆之介1、赤瀬 善太郎1、岩満 一功1、冨谷 茂隆1 (1.奈良先端大)
