講演情報
[8a-N101-3]GaInN/GaN多重量子殻構造における発光均一性に及ぼすナノワイヤ高さの影響
〇澤崎 晴喜1、高橋 拓也1、山田 航己1、手島 弘喜1、堀田 陽生1、鈴木 ひまり1、難波江 宏一2、丹羽 一将2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大学、2.(株)E&Eエボリューション)
キーワード：
ナノワイヤ
コアシェル型GaNナノワイヤレーザでは、MQS活性層の発光不均一性がレーザ発振実現の課題となっている。本研究では、NW高さが発光特性に与える影響を調査するため、NW高さを1.6 µmおよび1.3 µmとした試料を作製し、評価した。その結果、1.3 µm試料では高さ方向の発光が均一化し、発光中心波長が415 nm付近に集約された。以上より、NW高さの低減は発光均一性向上に有効であり、デバイス構造と両立する最適高さの検討が重要であることが示された。