講演情報
[8a-N101-9]光強度変調励起によるInGaN量子井戸のキャリア寿命の測定
〇山岸 颯矢1、山口 敦史1、冨谷 茂隆2 (1.金沢工大、2.奈良先端大)
キーワード：
窒化物半導体、光強度変調励起、InGaN量子井戸
InGaNは可視光域で広い波長範囲の発光が可能な一方、長波長化に伴う発光効率低下の原因解明が課題である。本研究では、光強度変調励起法を用いてInGaN単一量子井戸のキャリア寿命を評価した。励起光を高速変調すると、PL強度には変調度の低下と位相遅れが生じるため、その位相差の周波数依存性を理論式で解析した。今後はTRPL測定結果との比較を行い、InGaN量子井戸のキャリアダイナミクスの理解を深める。