[8a-PA2-1~24] 2 放射線（ポスター）

[8a-PA2-18] ミストデポジション法によるCs₃Bi₂Br₉膜の作製

〇(M2)吉原 大登¹、池之上 卓己¹、土井 俊哉¹ (1.京大院エネ科)

キーワード：

Cs3Bi2Br9、ミストデポジション法

Cs₃Bi₂Br₉は優れたX線吸収能と高比抵抗・低暗電流特性を有し、鉛を含まない次世代X線検出材料として注目されている。本研究では、低コスト・大面積成膜に適したミストデポジション法によりCs₃Bi₂Br₉膜を作製し、基板温度やキャリアガス流量などの成膜条件を最適化した。その結果、(00l)方向に一軸配向し、粒径約2 µmの結晶粒が柱状に緻密成長した平坦なCs₃Bi₂Br₉膜が得られた。