[8a-PA2-1~24] 2 放射線（ポスター）

[8a-PA2-21] ミストデポジション法によるCs₃Cu₂I₅膜の作製

〇(M2)駒井 麗大¹、池之上 卓己¹、土井 俊哉¹ (1.京大エネ科)

キーワード：

Cs3Cu2I5、シンチレータ、ミストデポジション法

Cs₃Cu₂I₅は高い量子収率と安定性を有し、X線検査器への応用が期待される。本研究では、ミストデポジション法により配向性を有するCs₃Cu₂I₅膜の作製を試みた。溶液濃度、基板温度、キャリアガス流量を変化させ成膜し、XRDおよびSEMにより評価した。その結果、5 mM、160℃、0.5 L/minの条件で(001)方向に一軸配向し、粒径約2μmの結晶流が緻密に成長した平坦なCs₃Cu₂I₅膜が得られた。