講演情報
[8a-PA2-9]荷電粒子線照射下での半導体デバイス電気特性その場評価システムの構築
〇(B)瀧下 十絆1、石原 慎太郎1、内田 幸志1、鈴木 康生1、遠山 翔1、加田 渉1、松山 成男1 (1.東北大工)
キーワード：
半導体、放射線耐性、その場計測
本研究では、1 MVタンデム加速器による荷電粒子照射下で、半導体デバイスの電気特性をリアルタイム測定可能な環境を構築した。Analog Discovery 2を用いた制御プログラムにより電圧・電流特性を一定時間間隔で自動取得し、照射に伴う半導体パラメータ変化を評価した。