[8a-PB2-1~32] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

[8a-PB2-32] 真空蒸着法により正孔輸送層を積層した逆構造型コア-シェルQD-ELの作製

〇増井 理貴¹、皆川 祐毅¹、伊東 栄次¹ (1.信大工)

キーワード：

量子ドット、発光デバイス、真空蒸着

ITO/ZnO/PEIE/QD(CdSe/ZnS)/TCTA/α-NPD/MoO₃/Agの構造を有するQD-ELを塗布プロセスと真空蒸着法を併用して作製し、素子のJ-V-L特性やC-V特性の測定・解析を行った。