[8a-S2-1~11] 3.13 シリコンフォトニクス・光電融合集積・光制御

9:30 〜 9:45

[8a-S2-3] 酸化物半導体FETを用いたIII–V/SiハイブリッドMOS型位相シフタのメモリ動作

〇赤澤 智熙¹、高 烜赫東¹、湯 涵智¹、トープラサートポン カシディット¹、竹中 充¹ (1.東大院工)

キーワード：

シリコンフォトニクス、光位相シフタ、酸化物半導体

通信やコンピューティングなどの応用へ向け，Siプログラマブル光回路（PIC）が注目 を集めている。さらなるPICの高性能化へ向け，異なる動作原理に基づく多種多様な光位相シフタ が提案されているが，その多くは揮発性であり，位相シフトを維持するために継続的な電力供給を必要とする。また，N×NのPICの実現には，O(N²)の電気配線が必要となり，スケーラビリティに課題がある。不揮発性位相シフタは継続的な電力供給を行わずに位相シフト量を保持できるため，静的消費電力を削減することができ，位相シフタの制御の大幅な簡素化も可能である。本研究では，高効率なn-InGaAsP/SiハイブリッドMOS型位相シフタを，BEOL互換プ ロセスで作製可能かつリーク電流の極めて小さな酸化物半導体MOSFETにより駆動することで，長時間の保持特性を有するメモリ動作に成功したので報告する。