講演情報
[8a-S2-5]不揮発性位相シフタに向けたCHF3-RIEによるHf0.5Zr0.5O2光導波路の作製
〇(DC)藤谷 諭史1、桂 雄大1、塚本 貴広1、一色 秀夫1 (1.電通大)
キーワード：
強誘電体HZO、不揮発性光位相シフタ、反応性イオンエッチング
強誘電体Hf0.5Zr0.5O２（HZO）は、不揮発性光位相シフタ材料として有望である。一方、HZOは酸素との強い化学結合に加え、HfおよびZrハロゲン化物の揮発性が低く、難エッチング材料である。本研究ではCHF₃-RIEによりHZO光導波路を作製し、43.3 nm/minの高速加工、平滑な側壁、400℃酸素アニール後の形状安定性を確認した。以上より、HZO加工技術としての有効性を示した。