[8p-A21-1~18] 6.4 薄膜新材料

13:45 〜 14:00

[8p-A21-2] [分科内招待講演] 水素補償多結晶Ge薄膜における欠陥準位解析

〇野沢 公暉¹、末益 崇¹、都甲 薫¹ (1.筑波大学院)

キーワード：

半導体、ゲルマニウム