2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)6 薄膜・表面：6.4 薄膜新材料

[8p-A21-1~18]6.4 薄膜新材料

2026年9月8日(火) 13:30 〜 18:30
A21 (情報研究棟)
13:30 〜 13:45

[8p-A21-1][分科内招待講演] GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードの動作温度向上と高性能化

〇鳥本 昇汰1、石本 修斗1、加藤 芳規1、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2、柴山 茂久1 (1.名大院工、2.名大未来研)
13:45 〜 14:00

[8p-A21-2][分科内招待講演] 水素補償多結晶Ge薄膜における欠陥準位解析

〇野沢 公暉1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大学院)
14:00 〜 14:15英語発表

[8p-A21-3]Study of thermoelectric properties in sputtered Si-Ge thin films

〇(P)Madhuvathani Saminathan1, Priyanka Sangwan1, Kenji Watanabe1, Mahasuru Matsunami1, Tsunehiro Takeuchi1 (1.Toyota Tech. Inst.)
14:15 〜 14:30

[8p-A21-4]合金チャネル電気二重層デバイスにおける不可逆抵抗変化

〇(M1)大賀 一平1、中村 優太1、藤原 宏平1 (1.立教大理)
14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[8p-A21-5]Mist CVD法を用いたCu3N成長におけるNH3を含むN2キャリアガスの検討

〇森田 梓希1、月岡 知里1、山口 智広1、永井 裕己1、尾沼 猛儀1、本田 徹1 (1.工学院大)
14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[8p-A21-6]ZnドーピングによるCu3Nのキャリア極性反転と金属化

〇中園 水輝1、山田 直臣1 (1.中部大院工)
15:15 〜 15:30

[8p-A21-7]PLD法による(0001)ScAlMgO4上の超伝導体HfN薄膜の成長

〇田中 祐輔1、Krockenberger Yoshiharu1、眞田 治樹1、新田 淳作1,2、国橋 要司1 (1.NTT物性研、2.東北大学)
15:30 〜 15:45奨励賞エントリー英語発表

[8p-A21-8]Thermoelectric properties of Al-Cu-Fe thin film deposited on Sr(Ti1-xNbx)O3 substrate

〇(P)Priyanka Sangwan1,2, Kenji Watanabe1,2, Madhuvthani Saminathan1, Toshiaki Fujita3, Masaharu Matsunami1,2, Tsunehiro Takeuchi1,2 (1.Toyota Tech. Inst., 2.JST- MIRAI, 3.Mitsubishi Material Corp.)
15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[8p-A21-9]MgO(001)およびSrTiO₃(001)基板上における<001>配向Pt超薄膜のエピタキシャル成長

〇秋田 宗志1、曾布川 優樹1、都甲 薫1、末益 崇1 (1.筑波大院)
16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[8p-A21-10]水溶性犠牲層とトポケミカル反応を用いたフッ化セリウム自立膜の作製

〇上垣外 明子1、中野 歩花1、簔原 誠人2、近松 彰1 (1.お茶大理、2.産総研)
16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[8p-A21-11]超伝導X線検出器を用いた軟X線吸収分光法によるチタン酸ストロンチウム薄膜の酸素の異方的な電子状態

〇(M1)内藤 康太1、中島 伸夫1、Yang Weirong2、安井 伸太郎2、志岐 成友3、Anspoks Andris4 (1.広島大院先進理工、2.東京科学大ZC研、3.産総研、4.ISSP, Univ. of Latvia)
16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[8p-A21-12]Si基板上エピタキシャルLaNiO3薄膜における水素化誘起熱伝導率スイッチング幅の結晶配向依存性

〇財前 遥1、李 好博1,2、中川原 修3、ジョン アロン4、太田 裕道4、田中 秀和1,2 (1.阪大産研、2.阪大先導的学際研究機構、3.I-PEX Piezo Solutions Inc、4.北大電子研)
17:00 〜 17:15奨励賞エントリー

[8p-A21-13]In2O3薄膜の熱伝導率

〇(D)定平 光1、吉村 充生1、プラシャント ゲディヤ2、曲 勇作2、太田 裕道2 (1.北大院情報、2.北大電子研)
17:15 〜 17:30奨励賞エントリー

[8p-A21-14]複合成膜により成膜された低屈折率SiO2光学薄膜(6)

〇森川 康大1、田島 直弥1、若宮 大生2、室谷 裕志1 (1.東海大院工、2.(株)日本製鋼所)
17:30 〜 17:45奨励賞エントリー

[8p-A21-15]酸化物薄膜を有するPEFCステンレスセパレータの表面処理による高性能化

〇(M2)天満 結菜1、加藤 慎也1 (1.名工大院工)
17:45 〜 18:00奨励賞エントリー

[8p-A21-16]ミスト化学気相成長法による金属有機構造体配向薄膜の合成

〇(M1)古根村 祐太1、岡 大地1、庄田 伊吹1、井上 裕貴1、廣瀬 靖1 (1.都立大院理)
18:00 〜 18:15奨励賞エントリー

[8p-A21-17]超伝導回路応用に向けたRu–Re合金薄膜の作製と超伝導特性評価

〇増沢 向凌1,2、Sikdar Subhrajit1、古川 耕大1,2、原田 尚之1,2 (1.NIMS、2.理科大院先進工)
18:15 〜 18:30

[8p-A21-18]In-situ XPS解析に基づくTa表面化学状態制御によるCu薄膜の低抵抗化

〇大野 幸亮1、町田 葉祐1、隣 嘉津彦1、野瀧 恭司2、十河 真生2、坂井 大輔2、藤村 修三2,3 (1.アルバック、2.アルバックファイ、3.東京科学大学)
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