セッション詳細
[8p-A21-1~18]6.4 薄膜新材料
2026年9月8日(火) 13:30 〜 18:30
A21 (情報研究棟)
座長:西川 博昭(近畿大)、 藤原 宏平(立教大)、 小林 大造(立命館大)
[8p-A21-1][分科内招待講演] GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードの動作温度向上と高性能化
〇鳥本 昇汰1、石本 修斗1、加藤 芳規1、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2、柴山 茂久1 (1.名大院工、2.名大未来研)
[8p-A21-3]Study of thermoelectric properties in sputtered Si-Ge thin films
〇(P)Madhuvathani Saminathan1, Priyanka Sangwan1, Kenji Watanabe1, Mahasuru Matsunami1, Tsunehiro Takeuchi1 (1.Toyota Tech. Inst.)
[8p-A21-5]Mist CVD法を用いたCu3N成長におけるNH3を含むN2キャリアガスの検討
〇森田 梓希1、月岡 知里1、山口 智広1、永井 裕己1、尾沼 猛儀1、本田 徹1 (1.工学院大)
[8p-A21-7]PLD法による(0001)ScAlMgO4上の超伝導体HfN薄膜の成長
〇田中 祐輔1、Krockenberger Yoshiharu1、眞田 治樹1、新田 淳作1,2、国橋 要司1 (1.NTT物性研、2.東北大学)
[8p-A21-8]Thermoelectric properties of Al-Cu-Fe thin film deposited on Sr(Ti1-xNbx)O3 substrate
〇(P)Priyanka Sangwan1,2, Kenji Watanabe1,2, Madhuvthani Saminathan1, Toshiaki Fujita3, Masaharu Matsunami1,2, Tsunehiro Takeuchi1,2 (1.Toyota Tech. Inst., 2.JST- MIRAI, 3.Mitsubishi Material Corp.)
[8p-A21-9]MgO(001)およびSrTiO₃(001)基板上における<001>配向Pt超薄膜のエピタキシャル成長
〇秋田 宗志1、曾布川 優樹1、都甲 薫1、末益 崇1 (1.筑波大院)
[8p-A21-11]超伝導X線検出器を用いた軟X線吸収分光法によるチタン酸ストロンチウム薄膜の酸素の異方的な電子状態
〇(M1)内藤 康太1、中島 伸夫1、Yang Weirong2、安井 伸太郎2、志岐 成友3、Anspoks Andris4 (1.広島大院先進理工、2.東京科学大ZC研、3.産総研、4.ISSP, Univ. of Latvia)
[8p-A21-12]Si基板上エピタキシャルLaNiO3薄膜における水素化誘起熱伝導率スイッチング幅の結晶配向依存性
〇財前 遥1、李 好博1,2、中川原 修3、ジョン アロン4、太田 裕道4、田中 秀和1,2 (1.阪大産研、2.阪大先導的学際研究機構、3.I-PEX Piezo Solutions Inc、4.北大電子研)
[8p-A21-17]超伝導回路応用に向けたRu–Re合金薄膜の作製と超伝導特性評価
〇増沢 向凌1,2、Sikdar Subhrajit1、古川 耕大1,2、原田 尚之1,2 (1.NIMS、2.理科大院先進工)
[8p-A21-18]In-situ XPS解析に基づくTa表面化学状態制御によるCu薄膜の低抵抗化
〇大野 幸亮1、町田 葉祐1、隣 嘉津彦1、野瀧 恭司2、十河 真生2、坂井 大輔2、藤村 修三2,3 (1.アルバック、2.アルバックファイ、3.東京科学大学)
