[8p-A24-1~6] 11.1 基礎物性

17:00 〜 17:15

[8p-A24-1] 埋め込みひずみによるNb薄膜の超伝導転移温度の変調

〇高橋 優心¹、河野 竜平²、大久保 克敏²、牧野 典子²、野村 光^2,3、千葉 大地^2,4,5,6,7 (1.東北大工、2.東北大SRIS、3.NIMS、4.阪大産研、5.阪大CSRN、6.阪大OTRI、7.東北大CSIS)

キーワード：

超伝導、Nb、ひずみ

伸縮可能なフレキシブル基板に任意の引張ひずみを加えたまま基板上に金属薄膜をスパッタリング法で成膜し、成膜後に引張ひずみを除くことで圧縮ひずみが加えられた金属薄膜を得る「ビルトインひずみ法」が近年注目されている。本研究ではこのようなビルトイン圧縮ひずみが内在するNb薄膜を作製したところ、0.53%のひずみにより0.6Kの転移温度の低下を観測した。本講演では詳細および想定される物理的起源について考察する。