講演情報
[8p-E204-4]X線天文用SOIピクセル検出器XRPIXのX線相互作用位置による検出器応答の依存性についての原因解明
〇安齋 俊晟1、志賀 文哉1、佐藤 光1、中谷 萌乃1、藤田 紗弓1、幸村 孝由1、内田 悠介2、倉知 郁夫3、萩野 浩一4、松橋 浩洋4、佐藤 璃輝4、島添 健次4、永井 寛大4、鶴 剛5、上村 悠介5、上林 暉5、森 浩二6、武田 彩希6、鈴木 寛大6、犬童 真衣人6、下戸 麻耶6、早野 水萌6、上ノ町 水紀7 (1.東理大、2.ISAS/JAXA、3.D&S、4.東大、5.京大、6.宮崎大、7.東科大)
キーワード：
半導体、X線
次世代X線天文用SOIピクセル検出器「XRPIX」の開発において、高い量子効率に不可欠な裏面照射動作時に、表面照射時と比べピーク位置（5.89 keV）が約1.4%低下する課題の要因を評価した。解析の結果、電荷雲拡散に伴う隣接ピクセルへの信号の数え落とし（約0.8%）と、CSA回路のエネルギー非線形性（約0.4%）の2点が主要因であることを定量的に明らかにした。また、裏面不感層での電荷損失の寄与は極めて微小であることも確認した。