[8p-E207-1~17] 10.4 半導体・トポロジカル・超伝導・強相関スピントロニクス

14:30 〜 14:45

[8p-E207-5] GaAs(110)上のMgO/CoFeBヘテロ構造における面直磁気異方性

〇坂田 光優¹、相澤 太郎¹、揖場 聡²、大野 裕三^1,2 (1.筑波大数理、2.産総研)

キーワード：

半導体スピントロニクス

GaAs(110)量子井戸では、面直方向スピンの緩和が著しく抑制されるため、垂直磁化を持つ強磁性電極を用いたスピン注入が有効である。MgO/CoFeBヘテロ構造は、GaAs(001)上で高いスピン偏極トンネルと界面起源の垂直磁気異方性(PMA)を示すが、GaAs(110)上ではPMA報告はほとんどない。本研究では、GaAs(110)上MgO/CoFeBに PMAが誘起する界面条件を明らかにし、(110)系半導体への垂直スピン注入デバイスの実現に向けた重要な知見を獲得した。