[8p-E207-1~17] 10.4 半導体・トポロジカル・超伝導・強相関スピントロニクス

14:45 〜 15:00

[8p-E207-6] GaAs(110)上のMgO/CoFeBヘテロ構造における磁気異方性のアニール温度依存性

〇(M1)相澤 太郎¹、坂田 光優¹、大野 裕三^1,2、揖場 聡² (1.筑波大数理、2.産総研)

キーワード：

半導体スピントロニクス

GaAs(110)量子井戸を用いたスピン発光素子の実現には、垂直磁化を有する強磁性電極が必要である。本研究では、GaAs(110)上に形成したMgO/CoFeBヘテロ構造における垂直磁気異方性（PMA）のアニール温度依存性を調べた。250、300、350℃で熱処理を行った結果、PMAは300℃アニール時にのみ観測された。これは界面構造やCoFeBの結晶化、B拡散などの温度依存的な界面プロセスに起因すると考えられる。本講演では、PMA発現を支配する界面構造の決定因子について議論する。