[8p-E219-1~13] 9.3 ナノエレクトロニクス

15:15 〜 15:30

[8p-E219-7] 新原理デバイスの実現に向けた圧抵抗変化薄膜に関する研究

〇畑山 祥吾¹、宇佐美 潤²、諸田 美砂子¹ (1.産総研SFRC、2.産総研)

キーワード：

圧抵抗効果、SmTe、圧抵抗トランジスタ