セッション詳細

[8p-E219-1~13]9.3 ナノエレクトロニクス

2026年9月8日(火) 13:30 〜 17:00
E219 (総合教育棟 E棟)

[8p-E219-1]シリコン並走バレーエッジチャネル干渉計に向けたバレー間遷移ゲート変調の検討

〇山端 元音1、清水 貴勢1 (1.NTT物性研)

[8p-E219-2]シリコンおけるバレー分離の磁気容量分光測定

〇登坂 仁一郎1、入江 宏1、林 稔晶1、山端 元音1 (1.NTT物性研)

[8p-E219-3]第一原理計算を用いた歪シリコン薄膜の誘電関数の研究

〇林 稔晶1、篠原 康1、影島 博之2、登坂 仁一郎1、山端 元音1 (1.NTT物性研、2.島根大学)

[8p-E219-4]傾斜蒸着法と蒸着時エレクトロマイグレーション法を組み合わせた自己整合 sub 1nm 幅ナノギャップ形成手法の開発

〇船田 惇平1、菅 洋志1、島 久2、内藤 泰久2 (1.千葉工大、2.産総研)

[8p-E219-5]エレクトロマイグレーションによる金属ナノ細線破断位置制御メカニズムの解明

〇杉政 慶太1,2、筒井 優貴1,2、菅 洋志1、島 久2、内藤 泰久2 (1.千葉工大、2.産総研)

[8p-E219-6]ナノギャップ構造を用いた耐湿室温動作半導体ガスセンサの開発

〇内藤 泰久1、清水 舜太2、菅 洋志2、島 久1 (1.産総研、2.千葉工大)

[8p-E219-7]新原理デバイスの実現に向けた圧抵抗変化薄膜に関する研究

〇畑山 祥吾1、宇佐美 潤2、諸田 美砂子1 (1.産総研SFRC、2.産総研)

[8p-E219-8]機械学習を用いたSi MOSFETの非破壊評価に向けた動作不良デバイスモデルの検討

〇(DC)呂 任翔1、山口 彪斗1、谷田部 然治1、葛西 誠也1 (1.北大 量集センター)

[8p-E219-9]非対称2次元セルオートマトンにおける1/ƒゆらぎの検討

〇(M1)白波瀬 遥己1、谷田部 然治1、葛西 誠也1 (1.北大量集センター)

[8p-E219-10]蛍に学ぶ単電子情報処理回路の設計

〇(B)上坂 優月1、大矢 剛嗣1,2 (1.横国大理工、2.横国大IMS)

[8p-E219-11]蟻の行動に学ぶ新たな単電子情報処理回路の設計

〇小川 悠之介1、大矢 剛嗣1,2 (1.横国大理工、2.横国大IMS)

[8p-E219-12]単電子回路を用いた振動型ニューラルネットワークの構成と数独解探索への応用

〇土屋 晃生1、大矢 剛嗣1,2 (1.横国大理工、2.横国大IMS)

[8p-E219-13]軍隊アリの挙動に学ぶ単電子情報処理回路の設計

〇高野 峻輔1、大矢 剛嗣1,2 (1.横国大理工、2.横国大IMS)