講演情報
[8p-F212-14]単分子誘電体メモリデバイスにおける忘却特性制御の試み
〇(DC)有馬 將稀1、竹田 一志1、玉谷 陸翔1、中野 佑紀2、加藤 智佐都2、眞邉 潤1、藤林 将3、中村 貴義1、西原 禎文1,4 (1.広島大院先進理工、2.株式会社マテリアルゲート、3.宇部高専、4.広島大キラル国際研究拠点)
キーワード：
強誘電体、単分子誘電体、メモリデバイス
本研究では，脳の記憶機能にみられるアナログ性と忘却性の再現を目的として，単分子誘電体であるプレイスラー型POMを用いた電界効果トランジスタ型メモリ素子を作製した。正負のゲート電圧パルスを印加した結果，ドレイン電流は段階的に増減し，単分子誘電体の分極応答に基づく双方向のアナログ記憶状態制御の可能性が示された。