講演情報
[8p-N101-8]その場X線回折によるGaN上AlN薄膜の結晶トランケーションロッド散乱測定
〇林 侑介1、佐々木 拓生2 (1.物材機構、2.量研機構)
キーワード：
CTR散乱
GaN/AlNヘテロ構造のデバイス応用では、GaN上に数nm程度のAlN薄膜を急峻な界面を保ってシュードモルフィック成長させることが重要である。一方、GaN基板上のAlN成長では、約7 nmの臨界膜厚やGaN/AlN界面での原子拡散が課題となっており、成長初期の膜厚変化や界面形成を原子層スケールで理解する必要がある。本研究では、成長中の薄膜表面・界面をX線で調べる手法として、その場X線回折（XRD）による結晶トランケーションロッド（CTR）散乱を用い、GaN基板上に成長したAlN薄膜の膜厚変化と界面形成過程を調べた。