2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

[8p-N101-1~14]15.4 III-V族窒化物結晶

2026年9月8日(火) 13:30 〜 17:15
N101 (総合教育棟 N棟)
13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[8p-N101-1]スパッタ成長n型AlGaN上室温in-situスパッタ堆積Tiの結晶配向性評価

〇(DC)内藤 愛子1、藤岡 洋1 (1.東大生研)
13:45 〜 14:00

[8p-N101-2]スパッタ法を用いた再成長縮退 GaN(d-GaN) オーミックコンタクト InAlN/GaN HEMT の作製

〇神尾 麻貴1、藤岡 洋1 (1.東大生研)
14:00 〜 14:15

[8p-N101-3]Mg-Ga系スパッタリングターゲットを利用したMgドープGaNスパッタ膜の研究

〇尾崎 瑠来1、飯浜 準也1、三崎 日出彦1、常盤 美怜1、上岡 義弘1、召田 雅実1 (1.東ソー株式会社)
14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[8p-N101-4]GaInN系赤色LEDの高効率化に向けたp-GaNの低温成長に関する検討

〇(M1)二宮 立輝1、大場 勇輝1、榊原 愛1、木下 実乃里1、難波江 宏一2、鈴木 敦志2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.E&Eエボリューション)
14:30 〜 14:45

[8p-N101-5]r面サファイアの表面終端構造制御によるa面AlN高品質化

〇赤池 良太1,2、森 新之助1、横山 広樹1、安永 弘樹2,3、中村 孝夫1,2、三宅 秀人1,2 (1.三重大院工、2.三重大半デセンター、3.三重大研基機構)
14:45 〜 15:00

[8p-N101-6]窒化サファイア基板上高温AlNにおける極性反転機構

〇桑原 佑基1、藤井 滉樹1、松原 優翔1、林 悠希矢1、清水 蒼輝1、高島 祐介1,2、直井 美貴1,2、松村 賢3、常盤 美怜4、三崎 日出彦4、上岡 義弘4、召田 雅実4、永松 謙太郎1,2,5 (1.徳島大学大学院創成科学研究科、2.徳島大ポストLEDフォトニクス研究所、3.株式会社東ソー分析センター、4.東ソー株式会社、5.徳島大フォトニクス健康フロンティア研究院)
15:00 〜 15:15

[8p-N101-7]Gaサーファクタント効果によるAlNマクロステップテラスのステップフリー化の検討

〇(D)藤井 滉樹1、松原 優翔1、井関 創一朗1、林 悠希矢1、桑原 佑基1、清水 蒼輝1、高島 祐介1,2、直井 美貴1,2、永松 謙太郎1,2,3 (1.徳島大院創成、2.徳島大pLED、3.徳島大IPHF)
15:30 〜 15:45

[8p-N101-8]その場X線回折によるGaN上AlN薄膜の結晶トランケーションロッド散乱測定

〇林 侑介1、佐々木 拓生2 (1.物材機構、2.量研機構)
15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[8p-N101-9]AlN上にエピタキシャル成長させた六方晶Nb(Al, Sc)Nx超伝導薄膜

〇加藤 雄貴1、増沢 向凌1、原田 尚之1,2、三宅 秀人3、池田 和久1、小林 篤1 (1.理科大院先進工、2.NIMS、3.三重大院工)
16:00 〜 16:15

[8p-N101-10]スパッタ法によるGaN上六方晶ε型NbN薄膜の作製

〇児玉 竹琉1、加藤 雄貴1、増沢 向凌1、原田 尚之1,2、池田 和久1、小林 篤1 (1.理科大院先進工、2.NIMS)
16:15 〜 16:30

[8p-N101-11]新規バッファー層技術を用いた縦型GaN on Si作製

〇川村 史朗1、尾沼 猛儀2、井村 将隆1、三石 和貴1 (1.物材機構、2.工学院大)
16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[8p-N101-12]アモルファスライク中間層を用いたGaN on Si成長時の初期成長層の検討

〇横井 大悟1、川村 史朗2、山田 直臣1 (1.中部大院工、2.物材機構)
16:45 〜 17:00

[8p-N101-13]ナノチャンネルエピタキシーとリモートエピタキシーによるGaN成長その場X線回折測定

〇成塚 重弥1、丸山 隆浩1、佐々木 拓生2、大和田 謙二2、押目 典宏2、ハリーズ ジェームズ2 (1.名城大学理工、2.QST.)
17:00 〜 17:15

[8p-N101-14]InAlN 熱電薄膜の膜厚増加時のクラックフリー化

〇堺 悠眞1、荒木 努2、出浦 桃子1,3 (1.早大理工、2.立命館大理工、3.立命館大R-GIRO)
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