[8p-N304-1~14] FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

16:00 〜 16:15

[8p-N304-8] ZnO内包型多孔質アルミナメモリスタのZnO内包条件の検討

〇青山 秀人¹、山本 明旦定¹、百瀬 成空²、橋本 佳男¹ (1.信州大工、2.長野高専)

キーワード：

メモリスタ、ReRAM

抵抗変化型メモリスタは脳型コンピューターの実現に欠かせない為、注目されている。本研究ではZnO内包型多孔質アルミナメモリスタを作製し、安定性向上を目指し、内包条件の最適化を検討した。デバイスの微細構造の解析と共に、I-V特性と刺激パルスに対するシナプス量(コンダクタンス)の変化を評価した。