[8p-PA2-1~25] 3.8 テラヘルツ全般

[8p-PA2-5] 有限要素法によるGaNを用いたテラヘルツ帯 二重誘電体構造パッチアンテナの解析

〇岡田 壮真¹、五島 敬史郎¹、永瀬 成範² (1.愛知工大、2.産総研)

キーワード：

テラヘルツ、GaN、パッチアンテナ

近年、ガリウムヒ素(GaAs)系共鳴トンネルダイオード(RTD)発振器とインジウムリン(InP)系ショットキーバリアダイオード(SBD)THz受信器を用いた高速無線通信の実験が報告されている。そこで我々は、ワイドバンドギャップ特性、Si基板上へのヘテロエピタキシャルなどの優れた材料物性をもつ窒化物半導体(GaN)を用いることで、高性能なテラヘルツ（THz）デバイスの実現を目指している。本発表では、窒化物半導体を⽤いたTHz発振器の実現に向けて、GaNを⽤いたパッチアンテナの解析、及び、評価を⾏ったので報告する。