講演情報
[8p-PA3-10]CoおよびIr触媒を用いた垂直配向SWCNT膜における界面磁性制御の可能性
〇三崎 亜衣1 (1.電通大)
キーワード：
単層カーボンナノチューブ（SWCNT）、触媒界面、界面磁性
CoおよびIr触媒を用いてCold-Wall CVD法により垂直配向単層カーボンナノチューブ（SWCNT）膜を形成し、断面SEMおよびYAG-BSE観察を行った。Ir触媒試料では、界面近傍に高原子番号由来と考えられる粒状コントラストが観察された。一方、Co触媒では明瞭に確認されなかった。触媒種による界面構造および磁性起源の違いについて考察し、触媒選択による界面磁性制御の可能性を議論する。