[8p-PB2-1~16] CS.10 6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

[8p-PB2-1] 172 nm 深紫外エキシマ光照射による GaAs 表面化学状態制御と Au/GaAs ショットキー界面特性への影響

〇(M2)門田 陽登¹、上田 一輝¹、長谷川 尊之¹、和田 英男¹、小山 政俊¹、藤井 彰彦¹、清水 昭宏²、前元 利彦¹ (1.大阪工大、2.ウシオ電機株式会社)

キーワード：

ガリウムヒ素、エキシマ光、ショットキーダイオード

172 nmエキシマ光によるGaAs表面改質において、照射雰囲気が表面化学状態に及ぼす影響をXPSで評価した。Ga 3d解析では、HCl処理によるGa酸化物主体の自然酸化膜除去を確認し、N₂照射ではO₂照射よりGaO_xが増加した。As 3dでもAsO_x形成が認められ、自然酸化膜とは異なる改質層の形成が示唆された。既報のSBD特性およびTHz放射と対応付け、金属－半導体界面制御への新しい知見を得た。