講演情報
[8p-PB2-16]表面活性化接合用2方向照射高速原子ビーム源の陽極位置に関する検討
〇伊藤 優羽太1、三好 勇貴1、日野 太智1、大島 京祐1、岡 智絵美1、秦 誠一1 (1.名大工)
キーワード：
常温直接接合、表面活性化接合、高速原子ビーム源
表面活性化接合に用いる高速原子ビーム（FAB）源は，枚葉処理による低い生産性と，炭素製陰極のスパッタで生じるパーティクルが課題である．本研究では，1台で2枚のウエハを同時処理でき，下側照射で発生粒子のウエハ付着を抑える2方向照射FAB源を提案し，プラズマシミュレーションで陽極位置を検討した．検討範囲では陽極距離25.5 mmで照射性能が最大となり，照射口の拡大で寿命指標Rも0.41に改善できる．（199字）