講演情報
[8p-S5-4]アモルファスSiにおけるフェムト秒レーザー吸収の冷却速度依存メカニズムの解明
〇具志堅 英雄1、乙部 智仁1,2、Arqum Hashmi1、谷 水城1,2、山田 俊介2、石川 顕一1 (1.東大院工、2.QST関西研)
キーワード：
アブレーション、時間依存密度汎関数理論 (TDDFT)、アモルファスシリコン
フェムト秒レーザー加工で形成されるアモルファスSi層は、後続パルスの吸収に影響を与えうる。本研究では、冷却速度の異なる512原子アモルファスSiモデルに対して時間依存密度汎関数理論に基づく第一原理計算を行い、様々な構造歪み指標と光エネルギー吸収の関係を調べた。その結果、吸収量は欠陥数よりも結合角歪みなどのネットワーク構造に強く依存することがわかった。