講演情報
[9a-A11-8]Nb:TiO2基板の結晶方位がVO2薄膜の金属相ドメイン生成・成長挙動に与える影響
〇根木 竜宏1、長谷川 聖1、藤沢 浩訓1、中嶋 誠二1、大坂 藍1 (1.兵庫県立大学)
キーワード：
二酸化バナジウム、AFM電流像、絶縁体金属相転移
VO2薄膜の金属-絶縁体転移における金属相ドメイン形成機構を明らかにするため、Nb:TiO2(001)および(110)基板上に成長したVO2薄膜について、走査型プローブ顕微鏡を用いた電流像観察を行った。その結果、金属相は結晶粒外周部から生成し、結晶粒中心部へ向かって成長することを明らかにした。また、電流像とパーコレーション伝導モデルの比較から、粒界、結晶粒外周部に形成される局所的な金属相がマクロな伝導特性を支配することが示唆された。