2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)6 薄膜・表面：6.3 酸化物エレクトロニクス

[9a-A11-1~9]6.3 酸化物エレクトロニクス

2026年9月9日(水) 9:00 〜 11:30
A11 (情報研究棟)
座長：渋谷 圭介(産総研)、 志賀 大亮(東北大)
9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[9a-A11-1]サファイア基板上へのSnドープVO2薄膜の作製及び光学特性評価

〇(D)加納 大成1、西中 浩之1 (1.京工繊大)
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9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[9a-A11-2]室温で金属絶縁体転移を示すα-Al2O3 (0112) 基板上CrドープV2O3薄膜

〇(M1)藤原 穣成1、大友 明1、吉松 公平1 (1.科学大物質理工)
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9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[9a-A11-3]NbO₂薄膜の電流誘起スイッチングにおける金属-絶縁体転移機構の実験・シミュレーション解析

〇(M1)梅崎 麻弥1、李 好博1,2、田中 秀和1,2 (1.阪大産研、2.阪大先導的学際研究機構)
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9:45 〜 10:00奨励賞エントリー英語発表

[9a-A11-4]Fabrication and Cryogenic Resistive Switching Characteristics of Sc-doped Amorphous GaOx Crossbar Array Memristors

〇(M2)George Ayoub1, Sora Obinata1,2,3, Zhuo Diao1, Tetsuya Tohei1, Akira Sakai2,1 (1.Grad. Sch. Eng. Sci., The Univ. of Osaka, 2.OTRI-The Univ. of Osaka, 3.CSRN, The Univ. of Osaka)
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10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[9a-A11-5]プロトン閉じ込めによるWO₃シナプス素子の長期安定化

〇(M1)立石 呼人1、古江 佳大1、濱砂 智1、矢嶋 赳彬1 (1.九大 シス情)
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10:30 〜 10:45

[9a-A11-6]スパッタリングで作製したVO2薄膜の粒度分布の二峰性と二段階相転移

〇長谷川 聖1、藤澤 浩訓1、中嶋 誠二1、大坂 藍1 (1.兵庫県立大)
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10:45 〜 11:00

[9a-A11-7]ミストCVD法を用いたVO2マイクロ立体構造の作製と結晶相制御

〇大坂 藍1、髙山 大輝1、中嶋 誠二1、藤沢 浩訓1 (1.兵庫県立大学)
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11:00 〜 11:15

[9a-A11-8]Nb:TiO2基板の結晶方位がVO2薄膜の金属相ドメイン生成・成長挙動に与える影響

〇根木 竜宏1、長谷川 聖1、藤沢 浩訓1、中嶋 誠二1、大坂 藍1 (1.兵庫県立大学)
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11:15 〜 11:30

[9a-A11-9]TaOx-ReRAMの電流値揺らぎに与える書き込み電圧パルス波形の影響

〇島 久1、高橋 慎1、内藤 泰久1、秋永 広幸1 (1.産総研)
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