[9a-A11-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

11:15 〜 11:30

[9a-A11-9] TaO_x-ReRAMの電流値揺らぎに与える書き込み電圧パルス波形の影響

〇島 久¹、高橋 慎¹、内藤 泰久¹、秋永 広幸¹ (1.産総研)

キーワード：

抵抗変化メモリ、ランダムテレグラフノイズ