[9a-A21-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[9a-A21-5] 共焦点顕微鏡観察による絶縁膜堆積時のSiC表面酸化抑制効果の検証

〇兼子 悠¹、原 征大¹、渡部 平司¹、小林 拓真¹ (1.阪大院工)

キーワード：

炭化ケイ素、単一光子源、MOS界面