[9a-A21-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価 | 2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[9a-A21-1~11]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2026年9月9日(水) 9:00 〜 12:00

A21 (情報研究棟)

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[9a-A21-1]絶縁膜堆積後水素熱処理温度がSiC MOS界面特性に与える効果

〇伊賀智志¹、小林拓真¹、原征大¹、渡部平司¹ (1.阪大院工)

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[9a-A21-2]温度可変C-V測定による水素熱処理SiC MOS構造の界面特性評価

〇澤田翔斗¹、小林拓真¹、伊賀智志¹、原征大¹、渡部平司¹ (1.大阪大学大学院)

9:30 〜 9:45

[9a-A21-3]同一窒化処理によるSiC n チャネル・p チャネルMOSFET の移動度向上

〇平岩修弥¹、三上杏太¹、金子光顕¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[9a-A21-4]SiN 成膜およびCO₂アニールで作製したSiC MIS構造の電気特性評価

〇(M2)糸井久大^1,2、細井卓治^1,2 (1.NIMS、2.関学大院理工)

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[9a-A21-5]共焦点顕微鏡観察による絶縁膜堆積時のSiC表面酸化抑制効果の検証

〇兼子悠¹、原征大¹、渡部平司¹、小林拓真¹ (1.阪大院工)

10:15 〜 10:30奨励賞エントリー英語発表

[9a-A21-6]Formation of Reduced-D_it 4H-SiC MOS Stacks with an Ultrathin Interfacial Layer Thermally Grown by a Low-Temperature and Low-PO₂ Oxidation

〇(D)Hejian Zhou¹, Shunjie Yu¹, Atsushi Tamura¹, Koji Kita¹ (1.Dept. of Adv. Mater. Sci., The Univ. of Tokyo)

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[9a-A21-7]チャージポンピング測定によるゲートACストレス下SiC-MOSFETの界面準位生成評価

〇(M2)日高剛¹、岩室憲幸¹、矢野裕司¹ (1.筑波大学)

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[9a-A21-8]ゲートACストレスによるnチャネルSiC MOSFETの負のしきい値電圧変動とチャネル長依存性

〇(M2)子安葵¹、岩室憲幸¹、矢野裕司¹ (1.筑波大学)

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[9a-A21-9]SiC MOSFETの出力容量における温度依存ヒステリシスに関する報告

〇西岡大稀¹、高山創¹、鐘ヶ江一孝¹、西中浩之¹、新谷道広¹ (1.京工繊大)

11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[9a-A21-10]CO₂-PNAによる4H-SiC DMOSFETのACストレスに対するしきい値電圧変動の長期成分抑制

〇百田龍生¹、染谷満²、平井悠久²、渡部平司³、磯部高範¹、岩室憲幸¹、矢野裕司¹ (1.筑波大、2.産総研、3.阪大院工)

11:45 〜 12:00奨励賞エントリー

[9a-A21-11]SiC pチャネルフィンFETにおける移動度向上の実証

〇利光汐音¹、籠島瑛二²、藤原広和²、三上杏太¹、金子光顕¹、木本恒暢¹ (1.京大院工、2.株式会社ミライズテクノロジーズ)

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