2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[9a-A21-1~11]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2026年9月9日(水) 9:00 〜 12:00
A21 (情報研究棟)
座長：岡本 大(富山県立大)
9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[9a-A21-1]絶縁膜堆積後水素熱処理温度がSiC MOS界面特性に与える効果

〇伊賀 智志1、小林 拓真1、原 征大1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
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9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[9a-A21-2]温度可変C-V測定による水素熱処理SiC MOS構造の界面特性評価

〇澤田 翔斗1、小林 拓真1、伊賀 智志1、原 征大1、渡部 平司1 (1.大阪大学大学院)
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9:30 〜 9:45

[9a-A21-3]同一窒化処理によるSiC n チャネル・p チャネルMOSFET の移動度向上

〇平岩 修弥1、三上 杏太1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
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9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[9a-A21-4]SiN 成膜およびCO2アニールで作製したSiC MIS構造の電気特性評価

〇(M2)糸井 久大1,2、細井 卓治1,2 (1.NIMS、2.関学大院理工)
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10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[9a-A21-5]共焦点顕微鏡観察による絶縁膜堆積時のSiC表面酸化抑制効果の検証

〇兼子 悠1、原 征大1、渡部 平司1、小林 拓真1 (1.阪大院工)
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10:15 〜 10:30奨励賞エントリー英語発表

[9a-A21-6]Formation of Reduced-Dit 4H-SiC MOS Stacks with an Ultrathin Interfacial Layer Thermally Grown by a Low-Temperature and Low-PO2 Oxidation

〇(D)Hejian Zhou1, Shunjie Yu1, Atsushi Tamura1, Koji Kita1 (1.Dept. of Adv. Mater. Sci., The Univ. of Tokyo)
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10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[9a-A21-7]チャージポンピング測定によるゲートACストレス下SiC-MOSFETの界面準位生成評価

〇(M2)日高 剛1、岩室 憲幸1、矢野 裕司1 (1.筑波大学)
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11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[9a-A21-8]ゲートACストレスによるnチャネルSiC MOSFETの負のしきい値電圧変動とチャネル長依存性

〇(M2)子安 葵1、岩室 憲幸1、矢野 裕司1 (1.筑波大学)
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11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[9a-A21-9]SiC MOSFETの出力容量における温度依存ヒステリシスに関する報告

〇西岡 大稀1、高山 創1、鐘ヶ江 一孝1、西中 浩之1、新谷 道広1 (1.京工繊大)
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11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[9a-A21-10]CO2-PNAによる4H-SiC DMOSFETのACストレスに対するしきい値電圧変動の長期成分抑制

〇百田 龍生1、染谷 満2、平井 悠久2、渡部 平司3、磯部 高範1、岩室 憲幸1、矢野 裕司1 (1.筑波大、2.産総研、3.阪大院工)
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11:45 〜 12:00奨励賞エントリー

[9a-A21-11]SiC pチャネルフィンFETにおける移動度向上の実証

〇利光 汐音1、籠島 瑛二2、藤原 広和2、三上 杏太1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工、2.株式会社ミライズテクノロジーズ)
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